Choose an application

• Reference Manager
• EndNote
• RefWorks (Direct export to RefWorks)

Fallopian Tubes --- embryology

Choose an application

• Reference Manager
• EndNote
• RefWorks (Direct export to RefWorks)

621.383 --- Photoelectric tubes and cells --- Theses --- 621.383 Photoelectric tubes and cells

Choose an application

• Reference Manager
• EndNote
• RefWorks (Direct export to RefWorks)

Organische halfgeleiders liggen aan de basis van een relatief nieuw en uitgebreid onderzoeksdomein, nl. de organische elektronica. De bijzondere eigenschappen van deze materialen leiden tot een aantal specifieke voordelen van een dergelijke technologie. Men verwacht dat het gebruik van organische halfgeleiders zal leiden tot een brede waaier van toepassingen. Organische lichtemitterende diodes zijn tegenwoordig al commercieel beschikbaar, en het ligt in de lijn van de verwachtingen dat ook organische dunnefilmtransistors gebruikt zullen worden in een aantal specifieke toepassingen. Deze thesis handelt over organische dunnefilmtransistors. Tijdens dit doctoraatswerk werden twee belangrijke onderwerpen onderzocht. De hoofdbrok van deze thesis bestaat uit de technologische ontwikkeling van een proces om organische dunnefilmtransistors en schakelingen te fabriceren. Verder is er ook onderzoek verricht op het gebied van het ontwerp van schakelingen op basis van deze transistors. Na een bondige inleiding tot de organische elektronica, beschrijven we de technologische ontwikkeling van organische dunnefilmtransistors, en leggen we zo verband tussen een aantal technologische aspecten en de elektrische performantie van de transistors. De verschillende soorten organische transistors worden toegelicht. De depositie van pentaceen de organische halfgeleider, de substraatbehandeling en de patronering van de halfgeleider worden besproken. Er wordt bijzondere aandacht besteed aan een nieuwe substraatbehandeling en aan een nieuwe methode om de organische halfgeleider te patroneren. Vervolgens gaan we dieper in op het ontwerp en de realisatie van schakelingen, gebaseerd op organische dunnefilmtransistors. We beschrijven in detail een nieuwe methode om n- en p-type organische dunnefilmtransistors te patroneren op eenzelfde substraat. Het succes van deze complementaire technologie wordt overtuigend aangetoond door de excellente werking van een complementaire organische invertor. Verder hebben we ook een lichtemitterende organische veldeffecttransistor gerealiseerd, waarin een pn-heterojunctie in het transistorkanaal gepatroneerd werd. Tenslotte beschrijven we de relatie tussen de parameters van organische p-type transistors, en de ruismarge van een invertor die gebaseerd is op dergelijke componenten. Er wordt ook een statistische verdeling van de drempelspanning geïntroduceerd om na te gaan welke invloed deze niet-uniformiteit heeft op op de werking van de invertor. Omdat de ruismarge van een invertor een maatstaf is voor de robuuste werking ervan, hebben we een direct verband kunnen leggen tussen de uniformiteit van de drempelspanning van de transistors en de opbrengst van organische schakelingen. Deze analyse geeft overduidelijk aan dat de uniformiteit van de drempelspanning een cruciale parameter is om organische schakelingen van enige complexiteit te fabriceren. Organic semiconductors are at the basis of a relatively new and broad research field, being organic electronics. The peculiar properties of these materials lead to a number of specific advantages of such a technology. One expects that the use of organic semiconductors will result in a wide range of applications. Organic light-emitting diodes (OLEDs) are nowadays already commercially available; it is expected that organic thin-film transistors (OTFTs) will also be used in some specific applications. Organic thin-film transistors are the subject of this thesis. More specifically, we have worked in two domains: the main part of the work is the technological development of a process to manufacture organic thin-film transistors and circuits. A second part of the work is the design of circuits based on organic thin-film transistors. After a brief introduction to organic electronics, we describe the technologic development of organic thin-film transistors. We relate a number of technological aspects to the electrical performance of the transistors. The different types of organic transistors are introduced. The deposition of the organic semiconductor pentacene, the substrate treatment and the semiconductor patterning are discussed. In particular, we pay somewhat more attention to a novel substrate treatment, and to a novel method to pattern organic semiconductors. Subsequently, the design and manufacturing of OTFT-based circuits, such as inverters, ring oscillators and digital logic circuits, is discussed. We describe a method to pattern n- and p-type OTFTs on the same substrate. We have demonstrated an excellent complementary inverter using this technology. Furthermore, a light-emitting organic field-effect transistor was realized, in which a pn-heterojunction is patterned in the middle of the transistor channel. Finally, we discuss the relation between the noise margin of an organic inverter and the parameters of the transistors it is based on. A statistical distribution of the threshold voltage was taken into account to describe the influence of non-uniform transistor parameters on the electrical performance of the resulting inverter. As the noise margin of an inverter is an important factor with respect to its robustness, we have been able to relate the uniformity of the threshold voltage directly to circuit yield. This analysis makes clear that a good uniformity of the threshold voltage is absolutely crucial to manufacture complex organic circuits with some yield.

Academic collection --- 621.38 <043> --- Electronic devices. Electron tubes. Photocells. Particle accelerators. X-ray tubes--Dissertaties --- Theses --- 621.38 <043> Electronic devices. Electron tubes. Photocells. Particle accelerators. X-ray tubes--Dissertaties

Choose an application

• Reference Manager
• EndNote
• RefWorks (Direct export to RefWorks)

Fallopian Tubes --- Prostaglandins --- Gonadal Steroid Hormones --- physiology --- physiology --- metabolism

Choose an application

• Reference Manager
• EndNote
• RefWorks (Direct export to RefWorks)

In this work, thin-film polysilicon solar cells on foreign substrates are investigated. Three substrates are chosen that are able to withstand the deposition temperatures of 1130 °C, oxidized silicon, alumina and transparent glass-ceramic substrates. Fine-grained polysilicon is obtained by direct deposition of the silicon onto an oxidized silicon substrate, resulting in very small grains, i.e. an average grain size of only 0.2 µm. This material can be obtained relatively fast and is used as reference material to optimize certain processes on polysilicon layers. Coarse-grained polysilicon is obtained using an epitaxial thickening of a thin but large-grained AIC seed layer, which result in an average grain size of around 5 µm. The main improvements are repeated here. The progress of the efficiency of coarse-grained polysilicon layers on top of an alumina substrate as a function of the time shows a monotonously increasing curve with an average improvement in absolute efficiency of 1.5% per year. The total increase of the efficiency is due to four major improvements in the cell design. The first breakthrough is realized in the beginning of 2004 by inserting a thin FOx-layer between the alumina and the AIC seed layer. This layer reduces the substrate roughness and increases the material quality of the polysilicon layers. More details on the improvement of the material quality will be given in another Ph.D. from the solar cell technology group of IMEC. The second major improvement is obtained at the end of 2004 by the development and application of a thin (~ 17 nm thick) amorphous silicon - crystalline silicon heterojunction emitter instead of the conventional P-diffused homojunction emitter. This leads to a boost in Voc of the devices by nearly 100 mV. The main reason is found to be the absence of preferential P-diffusion spikes along grain boundaries, resulting in less space-charge-region recombination when a heterojunction emitter is used. Processing of the heterojunction emitter also leads to a more efficient hydrogen passivation, which can be done before emitter formation in case of a heterojunction. After plasma hydrogenation, the defect density of the fine-grained polysilicon layers decreases by a factor of three. This reduced defect concentration due to hydrogenation typically increases Voc by another 100 mV and nearly doubles Jsc. Different hydrogenation techniques are investigated showing that plasma hydrogenation techniques outperforms solid source hydrogenation based on a dense silicon-nitride layer. The process sequence using a short plasma hydrogenation followed by the deposition of the heterojunction emitter yields Voc-values that are independent of the grain size of the polysilicon, with the thinner fine-grained polysilicon layers showing as high Voc-values as the coarse-grained (~ 540 mV). Without hydrogenation this trend is also observed and a maximum Voc of 420 mV is reached for the unhydrogenated fine-grained polysilicon layer. In 2005, a third boost in the efficiency is realized using thinner p+- and p-type layers in combination with an interdigitated contact scheme. The use of thin p+- and p-type layers leads to higher Voc and Jsc because of a reduced volume recombination but lowers FF when the side-contacted process was used due to a higher Rseries. The development of interdigitated top contacts where the base contact fingers are closer to each other, results in a lower Rseries and a record FF-value of 74 % for polysilicon layers with an epitaxial p+ layer thickness of only 200 nm. These effects lead to a best efficiency of 5.9 % at the end of 2005. In 2006, the final improvement in this work is obtained through a better optical confinement of the light in the polysilicon layers. The light trapping structure that consists of a plasma textured front (acting like a Lambertian surface) and a highly reflective alumina substrate, shows a path length enhancement factor of 42. The alumina proves to be an excellent substrate with a back reflectance of 97 % while the plasma texturing is a useful technique to roughen the polysilicon surface without removing too much silicon. The combination of this light trapping structure with a thin p+ layer increases the Jsc of the devices from 17 to 21.2 mA/cm2. This results in the best efficiency so far of 8 % for a coarse-grained polysilicon layer on top of an alumina substrate. Except for the improvement of the material quality using a FOx layer between substrate and absorber, the same trends are observed for fine-grained layers on top of an oxidized silicon substrate resulting in a highest efficiency of 5.0 % and for coarse-grained polysilicon layers on top of glass substrates yielding an efficiency of 6.4 %. Both types of polysilicon solar cells show lower efficiencies than coarse-grained polysilicon on alumina mainly because of a lower current density. For both materials, the lower current density results from a worse back reflectance compared to coarse-grained polysilicon on alumina.   The efficiency of 8 % brings the performance of large-grained polysilicon solar cells close to the efficiencies reached in the field of microcrystalline silicon. Their main advantage over microcrystalline silicon solar cells is that these cells are fully stable. To surpass the 10 % efficiency barrier, some further research and development is clearly needed. Dunne-film polykristallijn silicium zonnecellen. Fotovoltaïsche zonnecellen op basis van dunne-film polykristallijn silicium zijn een goedkoop alternatief voor de huidige "wafer-gebaseerde" silicium zonnecellen. Door hun kleine korrelgrootte, de grote recombinatie aan de korrelgrenzen en de lage absorbantie van het licht in de dunne polysilicium laag, is het verkrijgen van een goede celefficiëntie een grote uitdaging. Deze thesis tracht de recombinatie aan de defecten te verminderen en de absorbantie in het materiaal te verhogen. Een heterojunktie emitter van amorf silicium en polykristallijn silicium in plaats van een homojunktie emitter resulteert in een sterke daling van de korrelgrens recombinatie. De concentratie aan bengelende bindingen in het polykristallijn materiaal vermindert met een factor drie door het toepassen van een extra waterstof passivatie. Ten slotte stijgt de nuttige absorbantie in de laag door het textureren van het oppervlak en door het gebruik van een sterk reflecterend alumina substraat. Een combinatie van de heterojunktie emitter, de waterstof passivatie en de texturisatie resulteerde in de verhoging van de efficiëntie van de dunne-film polykristallijne zonnecellen van 1.6 % naar 8 %.

Academic collection --- 621.383 <043> --- 621.383 <043> Photoelectric tubes and cells--Dissertaties --- Photoelectric tubes and cells--Dissertaties --- Theses